目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結構、均勻性等易于調控的優(yōu)勢，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應用。        在磁控濺射工藝中，作為被等離子體轟擊沉積薄膜用的靶材是非常關(guān)鍵的材料。制備不同的功能薄膜需要各種靶材，如金屬或合金、氧化物、碳化物靶材等。制備氧化物薄膜通常采用以氧化物陶瓷為靶材的磁控濺射工藝，與金屬靶材氧化反應沉積法相比，具有靶材不易中毒和薄膜品質(zhì)高的優(yōu)勢?；I備均勻：靶材作為制備大面積薄膜的原材料，如果籌備結構不均勻，則會(huì )嚴重影響到薄膜的厚度、組分等均勻性，對薄膜性能的均勻性產(chǎn)生較大的影響。如ITO、AZO或IGZO靶材，同一塊靶材或者同一批次靶材其密度均勻性越高，濺射時(shí)越不易中毒而產(chǎn)生節瘤，而且制備的薄膜厚度、方阻、透光率更均勻。高密度化：雖然提高靶材的密度增加了靶材制造的難度，但是對靶材的使用，薄膜產(chǎn)品的質(zhì)量以及綜合成本的降低有明顯的好處。高密度靶材其表面粗糙度低，有效濺射面大，濺射效率高，靶材本身表面黑化趨勢降低，并且制得的薄膜電阻率低 。同時(shí)，高密度陶瓷靶材可以提高靶材的使用壽命，從而降低了靶材的使用成本。        氧化物陶瓷靶材屬于陶瓷產(chǎn)品，由于對純度、密度、尺寸、形狀，以及成分、結構、均勻性等都有特殊要求，其制備南都較高。氧化物陶瓷靶材作為重要的關(guān)鍵基礎材料，多年來(lái)一直被靶材研究人員關(guān)注。與德國、日本等世界靶材強國相比，我國陶瓷靶材研究相對落后，但是近年來(lái)，隨著(zhù)大部分國家光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。陶瓷靶材結構的發(fā)展鍍膜市場(chǎng)不僅對各種鍍膜產(chǎn)品尺寸、鍍膜品質(zhì)、生產(chǎn)效率及制造成本提出了嚴格的要求，也對陶瓷靶材的結構提出了新的要求?？v觀(guān)陶瓷靶材的研究歷程以及市場(chǎng)需求狀況，陶瓷靶材結構的發(fā)展趨勢主要體現在以下幾方面。         噴涂制備靶材的工藝，和其他工藝 相比，具有不易中毒和大尺寸制備的優(yōu)勢：隨著(zhù)各種鍍膜產(chǎn)品尺寸的不斷擴大化，相應的基片尺寸也在加大，這就要求所用的陶瓷靶材必須具有較大的尺寸。以液晶面板為例，其生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)發(fā)展到了十代線(xiàn)（10G），其玻璃基板的尺寸約為2880 mm×3130 mm，可以切割出8片50英寸液晶面板。雖然可以通過(guò)綁定多片小尺寸靶材獲得大面積濺射靶材，但是這不僅會(huì )增加綁定的難度，而且拼縫易造成異常放電，破壞靶材性能的均勻性，因此單片陶瓷靶材的尺寸必須大型化。平面轉管狀：多年來(lái)，鍍膜設備主要使用平面陰極，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過(guò)設計移動(dòng)磁場(chǎng)等方式來(lái)提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率較高也只能達到40%左右。為了進(jìn)一步提高靶材利用率，人們設計了使用效率更高的旋轉陰極，用管狀的靶材進(jìn)行濺射鍍膜。濺射設備的改進(jìn)要求靶材從平面形狀改變?yōu)楣軤?，管狀旋轉靶材的利用率可以高達80%以上 。         現在， 廣州、深圳等地的大型靶材制造商，其制備的產(chǎn)品已得到國內外客戶(hù)的認可，其金屬表面噴涂陶瓷氧化物技術(shù)也逐漸成熟。未來(lái)，國內陶瓷靶材制備將向國際靶材強國發(fā)起挑戰。異形化：為了解決平面靶材利用率低的問(wèn)題，人們設計和使用異性靶材。以長(cháng)條形ITO、AZO平面靶材為例，增加靶材濺射跑道區域的厚度，兩端強磁場(chǎng)區域比中間區域更厚，讓這些先使用完畢的區域有更長(cháng)的使用時(shí)間，延長(cháng)靶材的使用壽命。平面靶材進(jìn)行異形化設計后，靶材的利用率可以從40%提高至50%以上。對高使用率的旋轉靶材來(lái)說(shuō)，靶材兩端比中間區域先使用完畢，人們設計了“狗骨”形狀的旋轉靶材，讓兩端靶材更厚，以延長(cháng)靶材的使用壽命。