靶材是材料，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節是整個(gè)靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節。金屬靶材，主要種類(lèi)包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類(lèi)的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來(lái)使用。在國內，同時(shí)擁有冷噴涂和熱噴涂生產(chǎn)技術(shù)和設備的企業(yè)鳳毛麟角，廣州的新材料成為了行業(yè)的****羊，噴涂制備二氧化鈦及鈦合金涂層的應用會(huì )為民用。熱噴涂二氧化鈦涂層;TiO2；旋轉硅靶；旋轉鋅鋁靶；靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導體、光伏電池、平板顯示器等等。顯示技術(shù)更迭發(fā)展，帶來(lái)顯示材料投資機會(huì )。預計2022年大部分國家顯示面板整體規模將超1300億美元，LCD面板占比約70%。中小尺寸OLED滲透率快速提升。大尺寸LCD占據主流。LCD與OLED在生產(chǎn)過(guò)程均會(huì )用到偏光片、玻璃基板、靶材、光掩膜版、光刻膠等產(chǎn)品。尤特新材料靶材項目投資總額為2億元。 2018年底，****靶材免稅政策到期，海外靶材的供應成本將提高，這將有利于國產(chǎn)化靶材的發(fā)展和滲透率提升。3.四大****，分食國內靶材市場(chǎng)目前，國內靶材廠(chǎng)商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導體、平板顯示器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國際巨頭一體競爭，但依靠國內的巨大市場(chǎng)潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別細分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠(chǎng)的市場(chǎng)空間。 低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過(guò)程中，會(huì )產(chǎn)生大量的氧負離子，氧負離子在電場(chǎng)的作用下，以一定的粒子能量會(huì )轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，同時(shí)將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上。在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。超聲探傷：靶坯加工完后需要采用波進(jìn)行檢查材料內部是否有缺陷。 半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，其中晶圓制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；芯片封裝材料包括封裝基板（39%）、引線(xiàn)框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。日本企業(yè)在半導體材料研發(fā)方面深耕多年，技術(shù)已經(jīng)達到爐火純青的地步，在硅晶圓材料、光罩、靶材等重要的細分子領(lǐng)域所占份額都多達50%以上。韓國的和海力士二者相加在半導體細分領(lǐng)域DARM占比將近75%。中國的半導體行業(yè)正處于成長(cháng)關(guān)鍵期，材料和技術(shù)仍依賴(lài)****，受到國際市場(chǎng)影響，圍繞半導體行業(yè)的焦慮在持續蔓延。在光學(xué)器件領(lǐng)域。 WSTS預計，2018年大部分國家半導體規模增速達12.4%。中國的車(chē)載芯片依稀可以窺見(jiàn)鎢材料，更具體地說(shuō)，是高純鎢濺射靶材，也就是純度達到99.999％（5N）以上的鎢靶材。那么，什么是鎢濺射靶材？鎢濺射靶材是制備電子薄膜的關(guān)鍵材料，也是濺射過(guò)程中的轟擊目標。鎢濺射靶材按照化學(xué)成分可以分為純鎢濺射靶材、鎢合金濺射靶材和氧化鎢濺射靶材。高純鎢濺射靶材的生產(chǎn)鏈主要包括金屬鎢的提純、高純鎢靶材的制造以及濺射鍍膜等過(guò)程。其中，高純鎢靶材的制造和濺射鍍膜是整個(gè)高純鎢濺射靶材生產(chǎn)鏈中的重要過(guò)程。既然濺射鍍膜是整個(gè)鎢濺射靶材生產(chǎn)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節之一，就很有必要了解一下什么是濺射技術(shù)？濺射技術(shù)是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，是物相沉積技術(shù)中的一種。濺射原理：用高壓加速氣態(tài)離子轟擊鎢靶材。 目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。在A(yíng)ZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)。要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到200~500℃，提高了實(shí)際應用中的成本，縮小了AZO薄膜的應用范圍。太陽(yáng)能電池為主，薄膜電池以及HIT占比較低，但是從目前的發(fā)展趨勢來(lái)看，光伏領(lǐng)域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，僅次于半導體用靶材。當前PERC設備投資成本只需要2-3億元/GW，與之相比異質(zhì)結電池投資成本仍較高。而設備成本之外。本尚有一定差距。業(yè)內相關(guān)人士指出，可進(jìn)一步降低異質(zhì)結電池的硅用量。