隨著(zhù)石墨加工技術(shù)的提高，石墨靶材興起，石墨靶材也會(huì )被應用在更加廣闊的領(lǐng)域中,在市場(chǎng)中，優(yōu)質(zhì)石墨靶材主要來(lái)源日本、德國、美國，不僅是在靶材行業(yè)，在石墨行業(yè)我們這些國家的差距還是很大的。在靶材行業(yè)中，我們常見(jiàn)到的有金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材、這些在靶材在微電子、顯示器、儲存等行業(yè)有著(zhù)廣泛的應用。石墨靶材自身具有耐高溫、自潤滑、耐腐蝕、導電性良好等特點(diǎn)，用石墨做靶材，根據行業(yè)的不同選用不同材質(zhì)的石墨材料，在選材上市重要的環(huán)節，然后就要考慮石墨靶材加工中的技術(shù)問(wèn)題，靶材材質(zhì)的要求很?chē)栏?，對加工技術(shù)的要求同樣是一絲不茍的。石墨靶材的精度和誤差都是重要的因素。UVTM為客戶(hù)提供各種稀有金屬靶材，多種材料合金靶材，陶瓷靶材，粉末和顆粒靶材，主要有鉻、鈦、不銹鋼、硅、鉬、錫、石墨、ITO、鎳鉻、鈦鋁、鉻銅邦定等靶材。       濺射靶材磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。       目前，國內靶材廠(chǎng)商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導體、平板顯示器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國際巨頭一體競爭。依靠國內的巨大市場(chǎng)潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢，它們已經(jīng)在國內市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別細分領(lǐng)域搶占了部分國際大廠(chǎng)的市場(chǎng)空間。 UVTM可提供硅材料等，硅靶材和晶圓的直徑可達18英寸。目前，硅晶圓主流尺寸為8英寸、12英寸。UVTM的硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品，已獲得多家手機玻璃蓋板生產(chǎn)客戶(hù)的認可，并已實(shí)現批量供貨。色彩一直是時(shí)尚設計的熱點(diǎn)，而手機配色也是F設計師們設計的重點(diǎn)之一。5G時(shí)候手機后蓋去金屬化，然而不管是玻璃、陶瓷、塑膠材質(zhì)的手機外觀(guān)結構件，F設計師們都會(huì )考慮酷炫紋理、金屬質(zhì)感、亮銀色、陶瓷光澤、漸變色等效果，而這些良好的裝飾效果都離不開(kāi)PVD真空鍍膜。金屬中框也需要和后蓋保持同樣炫麗的外觀(guān)，iPhoneXS金色及太空灰色系列不銹鋼中框就是采用的PVD色彩工藝。       近10年來(lái)，濺射技術(shù)更是取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。目前靶材常應用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域，而HIT作為PERC（鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池）未來(lái)的替代技術(shù)，有望實(shí)現大規模量產(chǎn)，從而帶動(dòng)靶材需求。光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜。自20世紀80年代，以集成電路、信息存儲、液晶顯示器、激光存儲器、電子控制器為主的電子與信息產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期，用真實(shí)進(jìn)入工業(yè)化規模生產(chǎn)應用領(lǐng)域。       氮化物是在電子和光電子應用方面有較大潛力的新型半導體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導電性的優(yōu)勢。是目前大部分國家半導體研究的****和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學(xué)穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力。朝純金屬靶材。光伏領(lǐng)域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。太陽(yáng)能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池，靶材主要應用于薄膜太陽(yáng)能電池的背電極環(huán)節以及HIT（異質(zhì)結）電池的導體層。晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材。       中國濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)數據顯示：靶材在半導體材料中占比約為2.5-3%。由于半導體濺射靶材市場(chǎng)與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系，以中國大陸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能占大部分國家比例為15%計算，2019年中國半導體濺射靶材市場(chǎng)約1.7億美元。隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能向中國轉移，半導體用靶材市場(chǎng)將達到1.5億美元。同比增長(cháng)25%。靶材，特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝（PVD）、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設備中用離子對目標物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。