隨著(zhù)石墨加工技術(shù)的提高，石墨靶材興起，石墨靶材也會(huì )被應用在更加廣闊的領(lǐng)域中,在市場(chǎng)中，優(yōu)質(zhì)石墨靶材主要來(lái)源日本、德國、美國，不僅是在靶材行業(yè)，在石墨行業(yè)我們這些國家的差距還是很大的。在靶材行業(yè)中，我們常見(jiàn)到的有金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材、這些在靶材在微電子、顯示器、儲存等行業(yè)有著(zhù)廣泛的應用。石墨靶材自身具有耐高溫、自潤滑、耐腐蝕、導電性良好等特點(diǎn)，用石墨做靶材，根據行業(yè)的不同選用不同材質(zhì)的石墨材料，在選材上市重要的環(huán)節，然后就要考慮石墨靶材加工中的技術(shù)問(wèn)題，靶材材質(zhì)的要求很?chē)栏?，對加工技術(shù)的要求同樣是一絲不茍的。石墨靶材的精度和誤差都是重要的因素。       UVTM為客戶(hù)提供各種稀有金屬靶材，多種材料合金靶材，陶瓷靶材，粉末和顆粒靶材，主要有鉻、鈦、不銹鋼、硅、鉬、錫、石墨、ITO、鎳鉻、鈦鋁、鉻銅邦定等靶材。      近10年來(lái)，濺射技術(shù)更是取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。目前靶材常應用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域，而HIT作為PERC（鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池）未來(lái)的替代技術(shù)，有望實(shí)現大規模量產(chǎn)，從而帶動(dòng)靶材需求。光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜。自20世紀80年代，以集成電路、信息存儲、液晶顯示器、激光存儲器、電子控制器為主的電子與信息產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期，用真實(shí)進(jìn)入工業(yè)化規模生產(chǎn)應用領(lǐng)域。       氮化物是在電子和光電子應用方面有較大潛力的新型半導體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導電性的優(yōu)勢。是目前大部分國家半導體研究的****和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學(xué)穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力。朝純金屬靶材。光伏領(lǐng)域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。太陽(yáng)能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池，靶材主要應用于薄膜太陽(yáng)能電池的背電極環(huán)節以及HIT（異質(zhì)結）電池的導體層。晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材。