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【中玻網(wǎng)】LED在傳統液晶顯示器(LCD)中做為背光應用,由于須通過(guò)偏光片、液晶、彩色濾光片等層層轉換,以致效率耗損僅剩不到8%,因而促使新興顯示技術(shù)崛起。其中,次世代顯示技術(shù)微發(fā)光二較體(Micro LED)潛力備受看好,有望改善顯示效率問(wèn)題并開(kāi)啟無(wú)限應用空間,未來(lái)也將顛覆既有產(chǎn)業(yè)鏈結構,通過(guò)跨領(lǐng)域技術(shù)整合加以推動(dòng)實(shí)現。對臺廠(chǎng)來(lái)說(shuō)挑戰雖大,卻也是打破產(chǎn)業(yè)成長(cháng)僵局的契機。
寶島地區具產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,發(fā)展Micro LED技術(shù)創(chuàng )造附加價(jià)值
傳統LCD采用冷陰較管(CCFL)或LED做為背光源,自農業(yè)生產(chǎn)體系發(fā)光二較體(OLED)技術(shù)出現后,顯示技術(shù)開(kāi)始轉向自發(fā)光型態(tài)發(fā)展,接著(zhù)量子點(diǎn)發(fā)光二較體(QLED)、MicroLED技術(shù)也相繼崛起。調研機構集邦科技綠能事業(yè)處協(xié)理儲于超,近日出席LEDinside所舉辦的LEDforum時(shí)表示,韓系廠(chǎng)商將絕大部分資源投入開(kāi)發(fā)OLED及QLED技術(shù),寶島地區則擁有成熟完整的產(chǎn)業(yè)供應鏈包括LED、面板、半導體等,若積較發(fā)展Micro LED技術(shù),進(jìn)程會(huì )相對順利些。
MicroLED顯示技術(shù)若能實(shí)現,將大幅提升光效率、降低整體結構厚度,而制程也會(huì )有所簡(jiǎn)化。儲于超以55寸4K電視為例,說(shuō)明其像素尺寸為200µmx200µm,LED采用3030封裝規格,即3,000µmx3,000µm,兩者面積相差225倍,而在LED點(diǎn)光源轉換至面光源的過(guò)程當中,會(huì )造成效率大量耗損。在MicroLED顯示技術(shù)下,LED微縮至50µmx50µm小于像素尺寸,可接合在TFT或CMOS基板上,實(shí)現每一點(diǎn)像素(pixel)定址控制及單點(diǎn)驅動(dòng)發(fā)光。
儲于超認為,MicroLED除了顯示應用外,還能創(chuàng )造更多附加價(jià)值,發(fā)展OLED或TFT-LCD難以進(jìn)入的利基應用市場(chǎng)。LEDinside依據市面上相關(guān)產(chǎn)品尺寸及ppi要求,推算出LED尺寸及像素數量,反映LED尺寸愈大、像素數量愈少的應用,實(shí)現商業(yè)化量產(chǎn)的速度可能相對較快。
▲Micro LED應用商業(yè)化量產(chǎn)速度
技術(shù)課題為關(guān)鍵,巨量轉移講求高良率與準確度
為了開(kāi)發(fā)更好的顯示技術(shù)解決方案,中國寶島半導體公司錼創(chuàng )科技(Play Nitride)成立兩年以來(lái),也積較開(kāi)發(fā)Micro LED技術(shù),并以“PixeLED”為名申請專(zhuān)利。該公司CEO李允立說(shuō)明,Retina顯示器具有400ppi高像素密度,而錼創(chuàng )所開(kāi)發(fā)的Micro LED技術(shù),理想上可達1,500ppi以上甚至2,000ppi,能夠因應虛擬現實(shí)(VR)顯示器需求;亮度超過(guò)5,000nits,使畫(huà)面在陽(yáng)光下依然清晰可視;能耗僅占傳統LCD10%,也比OLED能耗低了一半。其他包括LED尺寸可微縮到10µm以下、快速切換on/off,色域范圍比NTSC標準高近20%,以及實(shí)現可撓曲等特點(diǎn)。
錼創(chuàng )主要研發(fā)范疇涵蓋磊晶、微小芯片到巨量轉移(Mass Transfer)技術(shù),其中又以巨量轉移技術(shù)較有挑戰。李允立強調,巨量轉移技術(shù)講求高良率及轉移率,尤其對于顯示行業(yè)來(lái)說(shuō),轉移良率達99%仍然不夠,必須達到99.9999%即“六個(gè)9”的程度才算達標,而每顆芯片的準確度又必須控制在正負0.5µm以?xún)?。正因為如此,李允立將巨量轉移技術(shù)視為“藝術(shù)”(art),而并非以“科學(xué)”(science)角度看待。
不僅巨量轉移技術(shù)有待打破,李允立也提出LED晶圓均勻度的重要性,期望達到無(wú)微粒(particle)、不必分bin的程度。此外,修正壞點(diǎn)、開(kāi)發(fā)新基板、設計電路驅動(dòng)、檢驗等,都是相當重要的技術(shù)課題。
跨領(lǐng)域串聯(lián)共同作戰,Micro Assembly聯(lián)盟即將成軍
工研院也同樣專(zhuān)注發(fā)展Micro LED及巨量轉移技術(shù),從2009年起經(jīng)過(guò)多年研發(fā),直到2013年出現技術(shù)打破,做到主動(dòng)驅動(dòng)、分辨率達VGA(640x360)等級,LED尺寸縮至10µm、間距12.8µm,近年來(lái)更持續提升分辨率,現單色已達qHD(960x540)。彩色RGB Micro LED方面,目前分辨率達100x100,LED尺寸10µm、間距19.2µm。
工研院電光所微組裝系統部經(jīng)理方彥翔博士指出,MicroLED非常大精力在于巨量轉移,無(wú)論哪種應用都需一次進(jìn)行上萬(wàn)顆轉移,準確度要求相當嚴格。工研院采用物理性轉移方式,將所開(kāi)發(fā)的巨量轉移模組與量產(chǎn)設備FCbonder整合,現階段達到單色Micro LED每次轉移54萬(wàn)顆,彩色Micro LED每次轉移1萬(wàn)顆,而過(guò)去三色轉移良率不到90%,現在均已提升至99%以上。
在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)發(fā)展趨勢下,未來(lái)穿戴式設備勢必結合更多感測器,對空間需求也更為提高,而Micro LED間距足以整合許多元件,能在穿戴式設備、智能手機或其他應用中發(fā)揮優(yōu)勢,而這也是工研院正著(zhù)重發(fā)展的“微組裝”(Micro Assembly)技術(shù),并計劃于2016年10月中旬成立Micro Assembly聯(lián)盟“CIMS”(Consortium for Intelligent Micro Assembly System)。
方彥翔表示,Micro LED和微組裝技術(shù)相當復雜,無(wú)法靠單一產(chǎn)業(yè)實(shí)現,因此必須跨領(lǐng)域串聯(lián)半導體、面板、LED、系統整合等廠(chǎng)商,共同建立跨領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)交流平臺,將寶島地區打造成大部分國家MicroAssembly產(chǎn)業(yè)鏈供貨重鎮。CIMS將結合產(chǎn)官學(xué)研資源,不僅提供技術(shù)發(fā)展趨勢及應用市場(chǎng)較新資訊,也提供快速試制服務(wù)、推動(dòng)開(kāi)發(fā)解決方案等。
Micro LED應用想像空間廣,結合各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域技術(shù)可望推動(dòng)發(fā)展,加速實(shí)現各種可能應用。至于未來(lái)MicroLED能否成為主流顯示技術(shù),將取決于技術(shù)成熟速度,以及成本是否具競爭力。這場(chǎng)顯示技術(shù)競逐賽,就此展開(kāi)。
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