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氧化銦錫靶材ITO磁控濺射靶材

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品詳細

科研實(shí)驗專(zhuān)項使用氧化銦錫靶材ITO磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料 產(chǎn)品介紹         ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個(gè)性能指標:電阻率和透光率。多用于觸控面板、觸摸屏、冷光片等。 產(chǎn)品參數 中文名 氧化銦錫        化學(xué)式 In2O3-SnO2      分子量 428.343         熔點(diǎn) 287℃ 密度 1.2g/ml             純度 99.99%         強烈建議陶瓷化合物靶材綁定背靶使用。陶瓷靶材質(zhì)脆,受熱不均勻易裂。不建議超過(guò)3mm。 推薦綁定銅背靶,以增強導熱導電性。減少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差,連續長(cháng)時(shí)間濺射易發(fā)生裂靶情況,綁定背靶后,可以提高化合物靶材的導熱性能,提高濺射過(guò)程的散熱性、提高靶材利用率,從而提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您,選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!        可根據您的要求定制各類(lèi)特殊合金靶材,各種合金配比、靶材形狀(平面靶、多弧靶、旋轉靶及其它異形靶材)、尺寸規格均可定制。歡迎咨詢(xún)。  

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