1000A（100nm）柵極氧化固態(tài)劑量計   技術(shù)要求 典型數值在27°C   氧化層厚度1000A   輻射Vth靈敏度 輻射場(chǎng) = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad 輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad (靈敏度在 30 krad(H2O)，在以下讀寫(xiě)器的配置中使用一個(gè)恒量10µA)    溫度補償 TVTC 2.5mV/°C(該數據出自溫度27°C-100°C線(xiàn)性模式中的外推Vtp數值)  線(xiàn)性模式中Z.T.C. 數值 ~ 3µA(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)  飽和模式中Z.T.C.數值 ~ 30µA(使用以下讀寫(xiě)器電路配置)  預輻射劑量計的特點(diǎn) 閾值電壓（外推）-2.15  /- 0.1V  Vth漂移時(shí)間（秒）2.2mV/十年(該數據出自讀寫(xiě)器配置強迫40µA.)  氧化層擊穿電壓 ~ 75V  溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA  亞閾值斜率100  /- 20 mV/十年  溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms  福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監測系統、同軸高純鍺探測器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線(xiàn)譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀（現場(chǎng)使用）、X γ射線(xiàn)高純鍺譜儀（電致冷）、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。 0 1 0-8 8 2 5 8 6 7 0