產(chǎn)品特點(diǎn): 采用頻率為數十千赫茲的中頻電源，配備經(jīng)過(guò)嚴格磁路設計的孿生靶（對靶），可以避免“打火”、“陽(yáng)極消失”、“靶中毒”等現象，提高了離化率、濺射速率，顯著(zhù)提高沉積速度，適合做化合物薄膜（如TiO2、TiN、TiC、TiCN、TiAlN等）的沉積。中頻磁控離子鍍膜機在近幾年得到了迅猛的發(fā)展，在鐘表、眼鏡、五金等裝飾度領(lǐng)域得到廣泛的應用。 技術(shù)參數: 真空室箱體：主要規格有800*1000mm、1000*1200mm，并可以根據客戶(hù)具體要求設計非標產(chǎn)品。 夾具方式：采用公自轉行星式齒輪結構，工件速度在1-15轉/分鐘可調。 控制氣體方式：采用質(zhì)量流量計控制，進(jìn)氣穩定，反應速度快。 靶：采用整體制造技術(shù)，嚴格縝密的磁場(chǎng)設計和磁路布局，濺射刻蝕均勻。 電源：配置有中頻電源（20KW、40KW等規格）、直流脈沖電源（電壓、占空比可調節），并可根據實(shí)際的情況加裝離子源等輔助設施。 抽氣系統：采用國產(chǎn)品牌機械泵、羅茨泵、擴散泵，根據其真空室大小確定合理型號。也可以根據客戶(hù)的需要配備分子泵或者進(jìn)口泵等。 抽真空參數：從大氣抽至5*10??Pa≤15min極限真空度8*10?4Pa。